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【產(chǎn)品應(yīng)用】硒化鉍Bi2Se3的價值
- 分類:專題專欄
- 作者:泰州巨納新能源辦公室
- 來源:
- 發(fā)布時間:2016-12-16 22:53
- 訪問量:
【概要描述】? ? ? ?拓撲絕緣體是一種近幾年被發(fā)現(xiàn)的新型量子物質(zhì)態(tài),在能量無耗傳輸、自旋電子學(xué)以及量子計算機等方面有著很大的應(yīng)用前景。除了奇異的不受缺陷和非磁性雜質(zhì)散射的拓撲表面態(tài)外,在拓撲絕緣體中引入一個螺旋位錯的線缺陷,還可能會產(chǎn)生一對拓撲保護的一維螺旋態(tài),從而創(chuàng)造一條完美的導(dǎo)電通道。類石墨烯層狀結(jié)構(gòu)的硒化鉍Bi2Se3因其簡單的能帶結(jié)構(gòu)、遠大于室溫的能量漲落體帶隙,被認為是最有前景的拓撲絕緣體材料之一。中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)合肥微尺度物質(zhì)科學(xué)國家實驗室和化學(xué)與材料科學(xué)學(xué)院曾杰教授課題組基于特色的可控制備手段,從晶體生長的動力學(xué)理論出發(fā),通過將反應(yīng)體系維持在極低的過飽和條件下,使硒化鉍在成核過程中產(chǎn)生螺旋位錯的缺陷,從而誘導(dǎo)層狀材料進行雙向的螺旋生長,打破硒化鉍本征的晶體生長模式。此外,研究人員還通過對螺旋生長速度的控制,合成出不同發(fā)展程度的螺旋結(jié)構(gòu),從中闡明了二維層狀材料的螺旋生長機理。這項研究為實現(xiàn)一維拓撲螺旋態(tài)提供了材料基礎(chǔ),有助于促進硒化鉍在拓撲絕緣體、熱電以及催化等方面的新發(fā)展。此外,探索螺旋生長的方式對于合成其他二維層狀材料的螺旋結(jié)構(gòu),從而調(diào)制材料的物理性能也有重要的指導(dǎo)意義。 ? ? ? ?巨納集團積極為廣大科研院所提供硒化鉍Bi2Se3等更加優(yōu)異的低維材料,推動新型材料的研究。
【產(chǎn)品應(yīng)用】硒化鉍Bi2Se3的價值
【概要描述】? ? ? ?拓撲絕緣體是一種近幾年被發(fā)現(xiàn)的新型量子物質(zhì)態(tài),在能量無耗傳輸、自旋電子學(xué)以及量子計算機等方面有著很大的應(yīng)用前景。除了奇異的不受缺陷和非磁性雜質(zhì)散射的拓撲表面態(tài)外,在拓撲絕緣體中引入一個螺旋位錯的線缺陷,還可能會產(chǎn)生一對拓撲保護的一維螺旋態(tài),從而創(chuàng)造一條完美的導(dǎo)電通道。類石墨烯層狀結(jié)構(gòu)的硒化鉍Bi2Se3因其簡單的能帶結(jié)構(gòu)、遠大于室溫的能量漲落體帶隙,被認為是最有前景的拓撲絕緣體材料之一。中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)合肥微尺度物質(zhì)科學(xué)國家實驗室和化學(xué)與材料科學(xué)學(xué)院曾杰教授課題組基于特色的可控制備手段,從晶體生長的動力學(xué)理論出發(fā),通過將反應(yīng)體系維持在極低的過飽和條件下,使硒化鉍在成核過程中產(chǎn)生螺旋位錯的缺陷,從而誘導(dǎo)層狀材料進行雙向的螺旋生長,打破硒化鉍本征的晶體生長模式。此外,研究人員還通過對螺旋生長速度的控制,合成出不同發(fā)展程度的螺旋結(jié)構(gòu),從中闡明了二維層狀材料的螺旋生長機理。這項研究為實現(xiàn)一維拓撲螺旋態(tài)提供了材料基礎(chǔ),有助于促進硒化鉍在拓撲絕緣體、熱電以及催化等方面的新發(fā)展。此外,探索螺旋生長的方式對于合成其他二維層狀材料的螺旋結(jié)構(gòu),從而調(diào)制材料的物理性能也有重要的指導(dǎo)意義。
? ? ? ?巨納集團積極為廣大科研院所提供硒化鉍Bi2Se3等更加優(yōu)異的低維材料,推動新型材料的研究。
- 分類:專題專欄
- 作者:泰州巨納新能源辦公室
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- 發(fā)布時間:2016-12-16 22:53
- 訪問量:
拓撲絕緣體是一種近幾年被發(fā)現(xiàn)的新型量子物質(zhì)態(tài),在能量無耗傳輸、自旋電子學(xué)以及量子計算機等方面有著很大的應(yīng)用前景。除了奇異的不受缺陷和非磁性雜質(zhì)散射的拓撲表面態(tài)外,在拓撲絕緣體中引入一個螺旋位錯的線缺陷,還可能會產(chǎn)生一對拓撲保護的一維螺旋態(tài),從而創(chuàng)造一條完美的導(dǎo)電通道。類石墨烯層狀結(jié)構(gòu)的硒化鉍Bi2Se3因其簡單的能帶結(jié)構(gòu)、遠大于室溫的能量漲落體帶隙,被認為是最有前景的拓撲絕緣體材料之一。中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)合肥微尺度物質(zhì)科學(xué)國家實驗室和化學(xué)與材料科學(xué)學(xué)院曾杰教授課題組基于特色的可控制備手段,從晶體生長的動力學(xué)理論出發(fā),通過將反應(yīng)體系維持在極低的過飽和條件下,使硒化鉍在成核過程中產(chǎn)生螺旋位錯的缺陷,從而誘導(dǎo)層狀材料進行雙向的螺旋生長,打破硒化鉍本征的晶體生長模式。此外,研究人員還通過對螺旋生長速度的控制,合成出不同發(fā)展程度的螺旋結(jié)構(gòu),從中闡明了二維層狀材料的螺旋生長機理。這項研究為實現(xiàn)一維拓撲螺旋態(tài)提供了材料基礎(chǔ),有助于促進硒化鉍在拓撲絕緣體、熱電以及催化等方面的新發(fā)展。此外,探索螺旋生長的方式對于合成其他二維層狀材料的螺旋結(jié)構(gòu),從而調(diào)制材料的物理性能也有重要的指導(dǎo)意義。
巨納集團積極為廣大科研院所提供硒化鉍Bi2Se3等更加優(yōu)異的低維材料,推動新型材料的研究。
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