【產(chǎn)品應(yīng)用】新型硒化銦(InSe)-二維材料領(lǐng)域的又一重磅炸彈

分類：專題專欄
作者：泰州巨納新能源辦公室
來源：
發(fā)布時(shí)間：2016-11-27 22:19
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【概要描述】? ? ? ?曼徹斯特大學(xué)和諾丁漢大學(xué)研究人員研發(fā)出的新型硒化銦（InSe）半導(dǎo)體只有幾個(gè)原子厚，類似于石墨烯。研究成果發(fā)表在“自然納米技術(shù)”《Nature Nanotechnology?》上。 ? ? ? ?石墨烯只是一個(gè)原子厚度，具有無可比擬的電子性能，但沒有能隙，導(dǎo)致無法向半導(dǎo)體那樣在晶體管上應(yīng)用。新的研究表明，硒化銦(InSe)晶體可以只有幾個(gè)原子厚，幾乎和石墨烯一樣薄。而且與硅類似，硒化銦(InSe)具有大的能隙，可以方便控制晶體管的開關(guān)。同時(shí)，硒化銦(InSe)被證明具有超快的電子速度。 ? ? ? ?Andre Geim是這項(xiàng)研究的作者之一，也是諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)獲得者，認(rèn)為新的發(fā)現(xiàn)可能對(duì)未來電子學(xué)的發(fā)展產(chǎn)生重大影響。如果能將硒化銦(InSe)成功沿用到電腦主板、處理器、或應(yīng)用至導(dǎo)電薄膜，透明柔性電極等電子元器件上，勢(shì)必將引領(lǐng)下一場(chǎng)電子工業(yè)革命，不愧為二維材料領(lǐng)域的又一“重磅炸彈”。 ? ? ? ?巨納集團(tuán)聯(lián)合荷蘭HQGraphene與美國(guó)2DSemiconductor公司在國(guó)內(nèi)為廣大客戶提供高質(zhì)量二維晶體材料，其中就包括細(xì)新型材料硒化銦(InSe)，現(xiàn)在至年底訂購(gòu)硒化銦(InSe)即贈(zèng)送二維材料機(jī)械剝離專用工具箱一個(gè)。 ? ? ? ?同時(shí)，經(jīng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)和中國(guó)科學(xué)院同意,全國(guó)納米技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)批準(zhǔn)在泰州石墨烯研究檢測(cè)平臺(tái)（巨納旗下）成立低維納米結(jié)構(gòu)與性能工作組，編號(hào)為SAC/TC279/WG9。低維納米結(jié)構(gòu)與性能工作組主要負(fù)責(zé)和協(xié)調(diào)全國(guó)低維納米結(jié)構(gòu)與性能標(biāo)準(zhǔn)化工作，泰州石墨烯研究檢測(cè)平臺(tái)有限公司為工作組承擔(dān)單位。

【產(chǎn)品應(yīng)用】新型硒化銦(InSe)-二維材料領(lǐng)域的又一重磅炸彈

【概要描述】? ? ? ?曼徹斯特大學(xué)和諾丁漢大學(xué)研究人員研發(fā)出的新型硒化銦（InSe）半導(dǎo)體只有幾個(gè)原子厚，類似于石墨烯。研究成果發(fā)表在“自然納米技術(shù)”《Nature Nanotechnology?》上。
? ? ? ?石墨烯只是一個(gè)原子厚度，具有無可比擬的電子性能，但沒有能隙，導(dǎo)致無法向半導(dǎo)體那樣在晶體管上應(yīng)用。新的研究表明，硒化銦(InSe)晶體可以只有幾個(gè)原子厚，幾乎和石墨烯一樣薄。而且與硅類似，硒化銦(InSe)具有大的能隙，可以方便控制晶體管的開關(guān)。同時(shí)，硒化銦(InSe)被證明具有超快的電子速度。
? ? ? ?Andre Geim是這項(xiàng)研究的作者之一，也是諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)獲得者，認(rèn)為新的發(fā)現(xiàn)可能對(duì)未來電子學(xué)的發(fā)展產(chǎn)生重大影響。
如果能將硒化銦(InSe)成功沿用到電腦主板、處理器、或應(yīng)用至導(dǎo)電薄膜，透明柔性電極等電子元器件上，勢(shì)必將引領(lǐng)下一場(chǎng)電子工業(yè)革命，不愧為二維材料領(lǐng)域的又一“重磅炸彈”。
? ? ? ?巨納集團(tuán)聯(lián)合荷蘭HQGraphene與美國(guó)2DSemiconductor公司在國(guó)內(nèi)為廣大客戶提供高質(zhì)量二維晶體材料，其中就包括細(xì)新型材料硒化銦(InSe)，現(xiàn)在至年底訂購(gòu)硒化銦(InSe)即贈(zèng)送二維材料機(jī)械剝離專用工具箱一個(gè)。
? ? ? ?同時(shí)，經(jīng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)和中國(guó)科學(xué)院同意,全國(guó)納米技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)批準(zhǔn)在泰州石墨烯研究檢測(cè)平臺(tái)（巨納旗下）成立低維納米結(jié)構(gòu)與性能工作組，編號(hào)為SAC/TC279/WG9。低維納米結(jié)構(gòu)與性能工作組主要負(fù)責(zé)和協(xié)調(diào)全國(guó)低維納米結(jié)構(gòu)與性能標(biāo)準(zhǔn)化工作，泰州石墨烯研究檢測(cè)平臺(tái)有限公司為工作組承擔(dān)單位。

分類：專題專欄
作者：泰州巨納新能源辦公室
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曼徹斯特大學(xué)和諾丁漢大學(xué)研究人員研發(fā)出的新型硒化銦（InSe）半導(dǎo)體只有幾個(gè)原子厚，類似于石墨烯。研究成果發(fā)表在“自然納米技術(shù)”《Nature Nanotechnology 》上。
石墨烯只是一個(gè)原子厚度，具有無可比擬的電子性能，但沒有能隙，導(dǎo)致無法向半導(dǎo)體那樣在晶體管上應(yīng)用。新的研究表明，硒化銦(InSe)晶體可以只有幾個(gè)原子厚，幾乎和石墨烯一樣薄。而且與硅類似，硒化銦(InSe)具有大的能隙，可以方便控制晶體管的開關(guān)。同時(shí)，硒化銦(InSe)被證明具有超快的電子速度。
Andre Geim是這項(xiàng)研究的作者之一，也是諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)獲得者，認(rèn)為新的發(fā)現(xiàn)可能對(duì)未來電子學(xué)的發(fā)展產(chǎn)生重大影響。
如果能將硒化銦(InSe)成功沿用到電腦主板、處理器、或應(yīng)用至導(dǎo)電薄膜，透明柔性電極等電子元器件上，勢(shì)必將引領(lǐng)下一場(chǎng)電子工業(yè)革命，不愧為二維材料領(lǐng)域的又一“重磅炸彈”。
巨納集團(tuán)聯(lián)合荷蘭HQGraphene與美國(guó)2DSemiconductor公司在國(guó)內(nèi)為廣大客戶提供高質(zhì)量二維晶體材料，其中就包括細(xì)新型材料硒化銦(InSe)，現(xiàn)在至年底訂購(gòu)硒化銦(InSe)即贈(zèng)送二維材料機(jī)械剝離專用工具箱一個(gè)。
同時(shí)，經(jīng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)和中國(guó)科學(xué)院同意,全國(guó)納米技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)批準(zhǔn)在泰州石墨烯研究檢測(cè)平臺(tái)（巨納旗下）成立低維納米結(jié)構(gòu)與性能工作組，編號(hào)為SAC/TC279/WG9。低維納米結(jié)構(gòu)與性能工作組主要負(fù)責(zé)和協(xié)調(diào)全國(guó)低維納米結(jié)構(gòu)與性能標(biāo)準(zhǔn)化工作，泰州石墨烯研究檢測(cè)平臺(tái)有限公司為工作組承擔(dān)單位。